Infineon IRHNM57110

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHNM57110

Turn-on Time-Max (ton)

14.6 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Turn-off Time-Max (toff)

49 ns

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

6.9 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

RH - 100K Rad(Si)

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.226 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27.6 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

24 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

23 W

达到SVHC

unknown