Infineon IRHQ58110

表面安装

YES

终端数量

28

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHQ58110

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

4.6 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

S-CQCC-N28

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.31 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18.4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

47 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

12 W

达到SVHC

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