Infineon IRHSNA57Z60SCSD

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Part Number

IRHSNA57Z60SCSD

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

75 A

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-CBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0035 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant