Infineon IRL5NJ7404

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

72 ns

Package Description

HERMETIC SEALED, SMD0.5, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRL5NJ7404

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

11 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

-20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-11 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11 A

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

漏源击穿电压

-20 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

157 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

漏源电阻

40 mΩ

高度

3.12 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

unknown

无铅

含铅