IRLC024NB
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Infineon IRLC024NB

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型号

IRLC024NB

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRLC024NB

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

55V Size 85x66 Gen 5 HEXFET DIE ON WAFER

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IRLC024NB
IRLC024NB Infineon 55V Size 85x66 Gen 5 HEXFET DIE ON WAFER

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IRLC024NB详情

Infineon IRLC024NB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 包装/外壳

    Die

  • 供应商器件包装

    Die

  • 房屋材料

    Liquid Crystal Polymer (LCP)

  • 外壳材料,完成

    Aluminum, Yellow Chromate Cadmium Plated

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage, Rating

    --

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    17A

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Power Dissipation (Max)

    -

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    83513-Style Micro D Metal Shell (MDM)

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    焊杯

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    100

  • 颜色

    --

  • 行数

    4

  • 触点类型

    Signal

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 入口保护

    --

  • 额定电流

    3A

  • 触点表面处理

    Gold

  • 线规

    --

  • 法兰特性

    Cable Side, Male Jackscrew (4-40)

  • 连接器样式

    D-Type, Micro-D

  • 触点形式

    --

  • 外壳尺寸,连接器布局

    0.050 Pitch x 0.043 Row to Row

  • 场效应管类型

    -

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    65mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    -

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    -

  • 后退间距

    --

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Shielded

  • 触点表面处理厚度

    --

  • 材料可燃性等级

    --

0个相似型号

技术文档: Infineon IRLC024NB.

IRLC024NB拓展信息

IRFR6215TRPBF
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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
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IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

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IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

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IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

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IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

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IRFR9120NTRPBF
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IRLL2705TRPBF
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