Infineon IRLC110VB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

Voltage, Rating

150 V

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

操作温度

-

系列

HEXFET®

容差

0.5 %

温度系数

50 ppm/°C

电阻

180 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

250 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

-

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

-

场效应管特性

-

高度

650 µm