Infineon IRLD024PBF

工厂交货时间

6 Weeks

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Enclosure

HEXDIP

Manuf. code

VIS

Max. operating temperature

+175°C

Casing

HEXDIP

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

1.3W

Manufacturer

Infineon Technologies

Package Description

IN-LINE, R-PDIP-T4

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRLD024PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

0.72

Part Package Code

DIP

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

N channel

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDIP-T4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

91 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.3 W