Infineon IRLIB4343PBF

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

55 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

23 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRLIB4343PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Intertechnologies

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.37

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

19 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

39 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

19 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

39 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

5.7 ns

晶体管应用

AMPLIFIER

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

19 A

阈值电压

1 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

双电源电压

55 V

输入电容

740 pF

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

39 W

漏源电阻

50 mΩ

栅源电压

1 V

高度

9.8 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅