Infineon IRLL024NPBF-INF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

SOT-223

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A (Ta)

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.6 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±16V

场效应管特性

-