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技术文档
型号
IRLL2705
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRLL2705
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
起订量
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IRLL2705详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRLL2705重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
3.71
Drain Current-Max (ID)
5.2 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-261AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
DS 击穿电压-最小值
55 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
环境耗散-最大值
技术文档: Infineon IRLL2705.
IRLL2705拓展信息
公司资质
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