Infineon IRLML5203GTRPBF

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W

Turn Off Delay Time

88 ns

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

98MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

12 ns

电压 - 阈值

-2.5V

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.2ns

漏源电压 (Vdss)

-30V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

-3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

漏源电阻

98mOhm

最大rds

98 mΩ

电容-输入

510pF

高度

1.12mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅