Infineon IRLML6302GTRPBF

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW

Turn Off Delay Time

22 ns

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

600mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

13 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

780mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.78A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

60mOhm

最大rds

600 mΩ

电容-输入

97pF

高度

1.02mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅