注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IRLML6401GPBF
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRLML6401GPBF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRLML6401GPBF datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IRLML6401GPBF详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRLML6401GPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.15
Part Package Code
SOT-23
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
34 A
DS 击穿电压-最小值
12 V
雪崩能量等级(Eas)
33 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.3 W
技术文档: Infineon IRLML6401GPBF.
IRLML6401GPBF拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)