Infineon IRLML6401TRPBF-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT23-3-901

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

4.3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Product Status

最后一次购买

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRLML6401TRPBF-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.3

Drain Current-Max (ID)

4.3 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

830 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34 A

DS 击穿电压-最小值

12 V

信道型

P

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-