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技术文档
型号
ITD50N04S4L-07
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-ITD50N04S4L-07
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 40V, 0.0072OHM, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252
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ITD50N04S4L-07详情
技术参数
PDF文档
Infineon ITD50N04S4L-07重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.72
Drain Current-Max (ID)
50 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.0072 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon ITD50N04S4L-07.
ITD50N04S4L-07拓展信息
公司资质
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