JANSF2N7423U详情
Infineon JANSF2N7423U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
JANSF2N7423U
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Defense Logistics Agency
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
14 A
Risk Rank
5.24
Ihs Manufacturer
DEFENSE LOGISTICS AGENCY
Part Life Cycle Code
活跃
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/662
JESD-30代码
R-CBCC-N3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.33 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSF2N7423U拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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