Infineon JANSF2N7506U8C

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Part Number

JANSF2N7506U8C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Defense Logistics Agency

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DEFENSE LOGISTICS AGENCY

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

3.1 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

参考标准

MIL-19500/749

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12.4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

28 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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