Infineon JANSR2N7492T2

表面安装

NO

引脚数

2

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Manufacturer Part Number

JANSR2N7492T2

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Defense Supply Center Columbus

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

Risk Rank

5.39

Part Package Code

BCY

Drain Current-Max (ID)

12 A

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

参考标准

MIL-19500/701

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

0.048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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