JANSR2N7626UB详情
Infineon JANSR2N7626UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
HERMETIC SELALED, UB-4
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANSR2N7626UB
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.32
Drain Current-Max (ID)
0.53 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)
JESD-30代码
R-XDSO-N3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
JANSR2N7626UB拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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