Infineon JANTX2N6770

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N6770

Drain Current-Max (ID)

12 A

Part Package Code

TO-3

Risk Rank

7.72

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

ROUND

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7.8 A

JEDEC-95代码

TO-3

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

漏源击穿电压

500 V

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

通态电阻

400 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

含铅