Infineon JANTX2N6786

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX2N6786

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.46

Drain Current-Max (ID)

1.25 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL-19500/556

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.2 A

漏极-源极导通最大电阻

4.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5.5 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

0.82 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

15 W

达到SVHC

compliant