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技术文档
型号
JANTX2N6847
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-JANTX2N6847
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
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JANTX2N6847详情
技术参数
PDF文档
Infineon JANTX2N6847重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.15
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
参考标准
MIL-19500/563
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
1.725 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon JANTX2N6847.
JANTX2N6847拓展信息
公司资质
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