Infineon JANTX2N7335
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JANTX2N7335详情
Infineon JANTX2N7335重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-CDIP-T14
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTX2N7335
Drain Current-Max (ID)
0.75 A
Risk Rank
5.21
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
4
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Package Shape
RECTANGULAR
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
MIL-19500/599
JESD-30代码
R-CDIP-T14
资历状况
Qualified
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-036AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75 A
漏极-源极导通最大电阻
1.73 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
75 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.4 W
达到SVHC
compliant
JANTX2N7335拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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