Infineon JANTXV2N6762

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6762

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

4.62

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/542

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1.1 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W