Infineon JANTXV2N6792

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6792

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Defense Logistics Agency

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DEFENSE LOGISTICS AGENCY

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

2 A

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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