Infineon JANTXV2N6796

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

NTE Electronics

Manufacturer Part Number

NTE1836

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.15

Drain Current-Max (ID)

8 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5 A

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.195 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

通态电阻

200 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant