Infineon JANTXV2N6851

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6851

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.15

Drain Current-Max (ID)

4 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL-19500/564

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25 W

接通延迟时间

50 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

-200 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-4 A

JEDEC-95代码

TO-205AF

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

1.68 Ω

漏源击穿电压

-200 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

漏源电阻

800 mΩ

通态电阻

800 mΩ

高度

4.57 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

含铅