Infineon JANTXV2N7334

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

14

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080

Number of Elements

4

RoHS

Non-Compliant

Package Description

HERMETIC SEALED PACKAGE-14

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTXV2N7334

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.48

Drain Current-Max (ID)

1 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1 A

JEDEC-95代码

MO-036AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

辐射硬化

无