JANTXVR2N7550T1详情
Infineon JANTXVR2N7550T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
JANTXVR2N7550T1
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
45 A
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
参考标准
MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)
JESD-30代码
S-XSFM-P3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-254AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
45 A
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
480 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
208 W
达到SVHC
compliant
JANTXVR2N7550T1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies








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