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SPA07N60C2

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Infineon SPA07N60C2

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对比

型号

SPA07N60C2

品牌

utmel 编号

1211-SPA07N60C2

商品类别

无类别的

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

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SPA07N60C2

SPA07N60C2 Infineon Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

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SPA07N60C2详情

技术参数

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Infineon SPA07N60C2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3 Full Pack
供应商器件包装

PG-TO220-3-31
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

32W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 350µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

970 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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