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技术文档
型号
SPA07N60C2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-SPA07N60C2
商品类别
无类别的
封装
TO-220-3 Full Pack
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
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SPA07N60C2详情
技术参数
PDF文档
Infineon SPA07N60C2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
PG-TO220-3-31
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolMOS™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 350µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
970 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
技术文档: Infineon SPA07N60C2.
SPA07N60C2拓展信息
公司资质
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