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Infineon SPB02N60C3

Name: SPB02N60C3
Brand: Infineon
SKU: 1211-SPB02N60C3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPB02N60C3

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPB02N60C3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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SPB02N60C3 Infineon Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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SPB02N60C3详情

技术参数

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Infineon SPB02N60C3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Continuous Drain Current Id

1.8
Voltage Rating (DC)

650 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

68 ns
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

25W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

25 W
技术

MOSFET (Metal Oxide)
额定电流

1.8 A
元素配置

Single
功率耗散

25 W
接通延迟时间

6 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 80µA
无卤素

无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5 nC @ 10 V
上升时间

3 ns
漏源电压 (Vdss)

650 V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

1.8 A
阈值电压

3 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

600 V
输入电容

200 pF
信道型

N
场效应管特性

-
漏源电阻

3 Ω
最大rds

3 Ω
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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SPB02N60C3拓展信息

热销零件