Infineon SPB03N60C3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Continuous Drain Current Id

3.2

Turn Off Delay Time

64 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

650 V

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 135µA

包装

切割胶带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

38 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

3.2 A

元素配置

Single

功率耗散

38 W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 10 V

上升时间

3 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3.2 A

阈值电压

3 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

双电源电压

650 V

输入电容

400 pF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

1.4 Ω

最大rds

1.4 Ω

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅