Infineon SPB07N60C3

生命周期状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

包装数量

1000

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

650 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

60 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Tape & Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

83 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

7.3 A

元素配置

Single

功率耗散

83 W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 350µA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27 nC @ 10 V

上升时间

3.5 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

7.3 A

阈值电压

3 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

输入电容

790 pF

场效应管特性

-

漏源电阻

600 mΩ

最大rds

600 mΩ

通态电阻

600 mΩ

宽度

9.45 mm

高度

4.572 mm

长度

10.31 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅