Infineon SPI07N60C3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

包装数量

500

Continuous Drain Current Id

7.3

Voltage Rating (DC)

650 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

60 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 350µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

零件状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

83 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

7.3 A

元素配置

Single

功率耗散

83

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27 nC @ 10 V

上升时间

3.5 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

7.3 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

600 V

漏源击穿电压

600 V

输入电容

790 pF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

600 mΩ

最大rds

600 mΩ

通态电阻

600 mΩ

无铅

无铅