Infineon SPI15N65C3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

包装数量

500

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

KYOCERA AVX

Product Status

Obsolete

Continuous Drain Current Id

15

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

70 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

156W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 675µA

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

156 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

156

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

280mOhm @ 9.4A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

15 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

650 V

漏源击穿电压

650 V

输入电容

1.6 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

280 mΩ

最大rds

280 mΩ

栅源电压

3 V

通态电阻

280 mΩ

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

长度

10.2 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅