Infineon SPI20N60CFD

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

208W (Tc)

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

59 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

208 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

208 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

220mOhm @ 13.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124 nC @ 10 V

上升时间

15 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

20.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

双电源电压

650 V

输入电容

2.4 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

220 mΩ

最大rds

220 mΩ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC