Infineon SPP08N80C3

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

104W

Turn Off Delay Time

65 ns

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

电压 - 额定直流

800V

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

104W

接通延迟时间

25 ns

无卤素

无卤素

上升时间

15ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

650mOhm

最大rds

650 mΩ

电容-输入

1.1nF

高度

15.95mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅