Infineon SPP12N50C3

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

包装数量

500

Continuous Drain Current Id

11.6

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

560 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

45 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Rail/Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

125 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

11.6 A

元素配置

Single

功率耗散

125

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 500µA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49 nC @ 10 V

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

11.6 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

500 V

漏源击穿电压

500 V

输入电容

1.2 nF

信道型

N通道

场效应管特性

-

漏源电阻

380 mΩ

最大rds

380 mΩ

通态电阻

380 mΩ

宽度

4.57 mm

高度

15.95 mm

长度

10.36 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅