Infineon SPS04N60C3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO251

Continuous Drain Current Id

4.5

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

58.5 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

50 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

50 W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 200µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

490 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25 nC @ 10 V

上升时间

2.5 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

4.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

650 V

双电源电压

650 V

输入电容

490 pF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

950 mΩ

最大rds

950 mΩ

栅源电压

3 V

达到SVHC

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