Infineon SPU01N60C3

包装/外壳

4-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PG-TO251-3

Product Status

活跃

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Package

Bulk

Continuous Drain Current Id

800

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

11W (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

系列

SXT224

操作温度

-20°C ~ 70°C

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

类型

兆赫晶体

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率

26 MHz

频率稳定性

±30ppm

ESR（等效串联电阻）

80 Ohms

负载电容

8pF

操作模式

Fundamental

功率耗散

11

频率容差

±25ppm

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

信道型

N

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)