Infineon SPU03N60C3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO251-3

包装数量

1500

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

64 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 135µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

零件状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

38 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

38 W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 10 V

上升时间

3 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3.2 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

双电源电压

650 V

输入电容

400 pF

场效应管特性

-

漏源电阻

1.4 Ω

最大rds

1.4 Ω

栅源电压

3 V

通态电阻

1.4 Ω

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无