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Infineon SPW15N60CFD

Name: SPW15N60CFD
Brand: Infineon
SKU: 1211-SPW15N60CFD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPW15N60CFD

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-SPW15N60CFD

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

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SPW15N60CFD Infineon Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

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SPW15N60CFD详情

技术参数

Infineon SPW15N60CFD重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
供应商器件包装

PG-TO247-3-21
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

156W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 750µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1820 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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