Infineon Eupec BSM50GD60DN2
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BSM50GD60DN2
1213-BSM50GD60DN2
无类别的
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES
1最小包装量--
BSM50GD60DN2详情
Infineon Eupec BSM50GD60DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BSM50GD60DN2
Manufacturer
Eupec Gmbh & Co Kg
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
EUPEC GMBH & CO KG
Risk Rank
5.7
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
Reach合规守则
unknown
最大耗散功率(Abs)
200 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
BSM50GD60DN2拓展信息







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