BSM50GD60DN2
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Infineon Eupec BSM50GD60DN2

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型号

BSM50GD60DN2

utmel 编号

1213-BSM50GD60DN2

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES

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BSM50GD60DN2
BSM50GD60DN2 Infineon Eupec Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES

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BSM50GD60DN2详情

Infineon Eupec BSM50GD60DN2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSM50GD60DN2

  • Manufacturer

    Eupec Gmbh & Co Kg

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    EUPEC GMBH & CO KG

  • Risk Rank

    5.7

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 最大耗散功率(Abs)

    200 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    50 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.7 V

0个相似型号

BSM50GD60DN2拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS