Infineon Technologies 017N08N5

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB017N08N5ATMA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

1.7

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 MOSFET OptiMOSu00aa5Power-Transistor,80V

Drain Current-Max (ID)

120 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0021 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

1228 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR