Infineon Technologies 04N03

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPT004N03LATMA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2

Risk Rank

1.68

Samacsys Description

MOSFET LV POWER MOS

Drain Current-Max (ID)

300 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-F2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0005 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1200 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

830 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W