Infineon Technologies 060NE2L

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSZ060NE2LSATMA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

Risk Rank

0.9

Samacsys Description

N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Drain Current-Max (ID)

12 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0081 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

16 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR