Infineon Technologies 068N10N

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPD068N10N3GATMA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

1.69

Samacsys Description

IPD068N10N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V IPD068N10N3 G, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon

Drain Current-Max (ID)

90 A

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

无铅代码

有

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.0068 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

360 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR