Infineon Technologies 19MT050XFAPBF
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19MT050XFAPBF
1211-19MT050XFAPBF
集成电路(IC)
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Discrete Semiconductor Modules N-Chan 500V 31 Amp
1最小包装量--
19MT050XFAPBF详情
Infineon Technologies 19MT050XFAPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
16
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
19MT050XFAPBF
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-P16
Risk Rank
5.72
Drain Current-Max (ID)
31 A
Number of Elements
4
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
无铅代码
有
附加功能
UL 认证
端子位置
UPPER
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
16
JESD-30代码
R-XUFM-P16
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
31 A
漏极-源极导通最大电阻
0.25 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
124 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
493 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1140 W
19MT050XFAPBF拓展信息
Infineon Technologies
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